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2023年5月10日，號(hào)稱“2000元檔質(zhì)價(jià)比之王”的真我11 Pro+震撼發(fā)布。作為2023年“無越級(jí)不發(fā)布”的第三款產(chǎn)品，真我11系列以影像為全新越級(jí)點(diǎn)，推出2億單鏡變焦相機(jī)，同時(shí)在外觀構(gòu)造、屏幕設(shè)計(jì)、充電續(xù)航等方面也進(jìn)行了全面升級(jí)，而最低售價(jià)僅1999元，成為同價(jià)位段當(dāng)之無愧的質(zhì)價(jià)比之王。
據(jù)了解，真我的數(shù)字系列是安卓手機(jī)中最快達(dá)到5000萬出貨量的產(chǎn)品線之一，真我能在短時(shí)間內(nèi)創(chuàng)下一億臺(tái)手機(jī)銷量的里程碑，其功不可沒。
在充電續(xù)航方面，真我11Pro+搭載了用100W+5000mAh閃充長(zhǎng)續(xù)航組合，實(shí)測(cè)5分鐘充30%，25分鐘充100%，日常基本無續(xù)航焦慮。
值得一提的是，真我11 Pro+實(shí)現(xiàn)了從適配器到手機(jī)端全鏈路氮化鎵，手機(jī)內(nèi)置40V氮化鎵芯片（英諾賽科VGaN），僅用一顆就能替代原本兩顆背靠背的Si MOS ，充電更快的同時(shí)體積更小，散熱更快，也是目前這個(gè)價(jià)位段首個(gè)全鏈路GaN百瓦閃充。
充電頭網(wǎng)從英諾賽科官方渠道了解到，英諾賽科雙向?qū)ǖ壭酒?VGaN 系列，具備無體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性，能夠?qū)崿F(xiàn)以一（V-GaN）替二（硅MOSFET），有效節(jié)省手機(jī)PCBA空間，并使手機(jī)充電過程中的核心部件發(fā)熱降低85%，為用戶帶來更好的快充體驗(yàn)。
據(jù)悉，英諾賽科的VGaN已在realme GT2，OPPO reno7 pro，一加Ace2等系列手機(jī)中被采用，實(shí)現(xiàn)了全鏈路GaN快充。
目前，大部分廠家還只是專注于快充鏈路上的某一個(gè)領(lǐng)域，只有極少數(shù)公司才有能力去做手機(jī)快充全鏈路上的完整方案，英諾賽科便是這條道路的開拓先鋒。如今氮化鎵在消費(fèi)類快充領(lǐng)域已邁入加速期，英諾賽科發(fā)布全新的VGaN產(chǎn)品，深入布局手機(jī)快充領(lǐng)域，意在推動(dòng)全鏈路氮化鎵快充的全面普及。
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